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SB-402双面曝光机

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SB-402双面曝光机

该设备主要用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统(MEMS)等领域的双面对准和曝光。主要技术特点对准工作台高精度薄型精密双层三维对准工作台,采用交叉滚柱V形导轨副和θ向超薄轴承及中心滑块结构,保证了工作台的直线性和旋转精度。机械手机构机械手采用直线导轨和滚珠丝杠结构,具有高的定位精度和重复精度。上版架系统上掩模版的升降导轨选用THK可调分离型直线导轨,驱动采用高分辨率的数显微分头,从而保证两掩模版的重复精度和定位精度。对准观察系统双光路结构的卧式分离视场显微镜,可以获取高清晰的图像同时兼容CCD成像显示。曝光系统上、下两套独立的紫外光曝光系统,采用先进的结构方案,具有较高的光强、均匀性、光学分辨率。主要技术指标 性能名称技术指标适用基片尺寸Max.φ4″(φ100mm)适用掩模版尺寸Max.5″(125mm×125mm)上下掩模版对准行程X向±4mmY向±4mmθ向±7.5°上下掩模版对准精度±3um掩模版对基片对准行程X向±4mmY向±4mmθ向±5°掩模对基片对准精度±3μm(以单一面两标记形位检测)显微镜物镜放大率6.5×目镜放大率10×总放大倍数65×物镜分离距离26~70mm曝光光源365nm,250W进口汞灯曝光面积φ110mm曝光分辨率3μm(正胶)5μm(负胶)曝光不均匀性±3%曝光时间0~999s曝光光强≥15mW/cm2
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所属分类
曝光设备
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产品描述
参数

该设备主要用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统(MEMS)等领域的双面对准和曝光。

The machine is mainly designed by double aligning and exposure process of photoelectric device, power device, sensors, hybrid circuits,micro wave device and MEMS etc.

主要技术指标    Main Specifications

 

性能名称 技术指标 Performance name Technical index
适用基片尺寸 Max. φ4″(φ100mm) Substrate Size Max. φ4″(φ100mm)
适用掩模版尺寸 Max. 5″(125mm×125mm) Mask Size Max. 5″(125mm×125mm)
上下掩模版对准精度 ±3μm Mask Alignment Accuracy ±3μm
掩模对基片对准精度 ±3μm(以单一面两标记形位检测) Mask to Substrate Alignment Accuracy ±3μm(Single-face two-mark detection)
曝光分辨率 3μm(正胶)5μm(负胶) Exposure Resolution 3μm(Positive PR)5μm(Negative PR)
关键词:
曝光
模版
对准
精度
结构
系统
采用
4mm
分离
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