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半导体刻蚀设备国产化
- 分类:行业动态
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- 发布时间:2022-03-11
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刻蚀原理及分类
市场中的刻蚀设备
电容性等离子体刻蚀CCP:将施加在极板上的射频或直流电源通过电容耦合的方式在反应腔内形成等离子。能量高、精度低,主要用于介质材料刻蚀。
电感性等离子体刻蚀ICP:将射频电源的能量经由电感线圈,以磁场耦合的形式进入反应腔内部,从而产生等离子体并用于刻蚀。能量低、精度高,主要用于硅刻蚀和金属刻蚀。
电子回旋共振刻蚀ECR:使用带电粒子在磁场中回旋转动获得能量,继而电子碰撞增加产生高密度的等离子体。
变压器耦合等离子体源TCP:TCP原理与ICP相似,区别是ICP为立体式电感线圈,而TCP为平面式。
ALE原子层刻蚀:通过一系列自限制反应去除单个原子层,将刻蚀精度精确到一个原子层,即0.4nm,具有超高选择率和均匀性,且微负载效应可以忽略不计。
刻蚀设备市场趋势
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