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木薯切片机的使用

木薯切片机的使用

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木薯切片机的使用

【概要描述】

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    2019 年是极紫外 (EUV) 光刻技术的重要里程碑。同年,EUV 构图技术首次应用于 7nm 技术代逻辑芯片的量产。插入以对芯片后端 (BEOL) 的最关键层进行图案化,它能够打印间距高达 36-40 纳米的金属线。

DYX-640S自动匀胶显影机

    凭借 13.5 纳米的极短波长,EUV 光刻已被引入以接替 193 纳米(浸没式)光刻--这是由瑞利方程决定的分辨率转变。根据这个等式,在晶圆曝光期间使用波长较小的光可以提高光刻工具的分辨率,从而提高其打印具有特定半间距(half pitch)或临界尺寸 (critical dimension:CD) 特征的能力。此外,193nm 复杂且昂贵的多重图案化要求--包括将芯片图案分成两个或更多个更简单的掩模--可以再次移回单一图案化 EUV.

    在开发方面,研究人员一直在不断努力推动当今最先进的 EUV 全场扫描仪(即 ASML NXE:3400B)的单次打印能力。例如,今年早些时候,imec 和 ASML 能够为 lines/spaces展示 28 纳米间距单次曝光图形,对应于 5 纳米逻辑技术节点的关键 BEOL 金属层。这使当前的扫描仪接近其大批量制造的分辨率极限,约为 13 纳米(26 纳米间距)。随着逻辑工艺的发展,存储器制造商越来越多地考虑使用 EUV 光刻来满足未来存储器的高密度要求--例如用于对关键 DRAM 结构进行图案化。

 

 

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讲一讲曝光机的工作原理
  什么是曝光机?伴随着电子数码产品高精度成像的市场需求,对pcb电路板的设计与出产的标准也愈来愈高。这促使了pcb线路板出产所需要的曝光机器设备的研制开发。因而研究开发出平行光曝光机器设备是出产密集型细线路的关键所在。
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关于匀胶机的基本使用介绍
  该设备主要用于晶片涂光刻胶,有主动、手动和半主动三种工作方式。送片盒中的晶片,主动送到承片台上,用真空吸附,在主轴电机的带动下旋转,转速100-9900转/分(±10转/分),起动加速度可调。
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介绍一下显影技术的特点
  显影是在硅片外表光刻胶中产生图形的关键步骤。光刻胶上的可溶解区域被化学显影剂溶解,将可见的岛或许窗口图形留在硅片外表。最常见的显影方法是旋转、喷雾、润泽,然后显影。硅片用去离子水冲刷后甩干。
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